基础响应功能的实现

This commit is contained in:
cbb
2025-12-27 19:20:23 +08:00
parent 26e73f451e
commit a25ec5f029
762 changed files with 1165 additions and 3750 deletions
+2 -30
View File
@@ -2,8 +2,6 @@
#define __FLASH_H
#include <stdint.h>
// 修改后 - 强制4字节对齐
#define ALIGN_4BYTE(addr) ((addr) & 0xFFFFFFFC) // 4字节对齐
// EEPROM操作状态
typedef enum {
@@ -26,21 +24,8 @@ class FlashEEPROM {
static constexpr u32 EEPROM_END_ADDRESS = 0x08020000; // Flash结束地址
static constexpr u32 EEPROM_MAX_SIZE = 0x800; // EEPROM最大容量
static constexpr u32 EEPROM_DATA_START_ADDRESS =
0x0801F900; // DATA段开始地址
static constexpr u32 DATA_FLOAT_MASK = 0xFFFFFF00; // float存储地址掩码
static constexpr u32 DATA_U16_MASK = 0xFFFF0000; // u16存储地址掩码
static constexpr u32 DATA_ADDR_MASK = 0x000000FF; // 虚拟地址掩码
0x0801F900; // DATA段开始地址
// 定义用户自定义的虚拟地址
static constexpr u8 ADDR_CONTROL_MODE = 0x0; // 控制模式
static constexpr u8 ADDR_ANGLE = 0x01; // 角度数据存储地址
static constexpr u8 ADDR_TARGET_ANGLE = 0x02; // 角度命令数据存储地址
static constexpr u8 ADDR_TARGET_VEL = 0x03; // 速度命令数据存储地址
static constexpr u8 ADDR_VOLTAGE_LIMIT = 0x4; // 电压限制
static constexpr u8 ADDR_VEL_LIMIT = 0x05; // 角度数据存储地址
bool angle_saved = false;
bool system_config_saved = false;
u8 EEPROMStatus;
// 构造函数
FlashEEPROM();
@@ -48,24 +33,11 @@ class FlashEEPROM {
// 初始化Flash EEPROM模拟
u8 init();
// 从Flash EEPROM中读取数据
FlashEepromStatus read(u8 virtualAddr, u16 *data) const;
// 向Flash EEPROM写入数据
FlashEepromStatus write(u8 virtualAddr, u16 data);
// Float数据读相关函数
FlashEepromStatus readFloat(u8 virtualAddr, float *data) const;
// Float数据存储相关函数
FlashEepromStatus writeFloat(u8 virtualAddr, float data);
// 格式化Flash EEPROM页面
FlashEepromStatus format();
u8 read_saved_system_config(void);
float read_angle();
FlashEepromStatus writeCRC(u32 CRC_NUM);
private:
FlashEepromStatus writeCRC(u32 CRC_NUM, bool saved);
};
void flash_eeprom_example_main(void);
#endif /* __FLASH_H */