refactor(flash): 重构EEPROM数据存储逻辑以提升可靠性

- 修改FlashEEPROM类的数据读写流程，优化地址掩码和数据对齐方式
- 引入新的宏定义和常量用于数据校验及地址解析
- 调整系统配置保存函数，支持更精确的CRC校验机制
- 移除旧的角度保存接口，统一通过系统配置保存函数处理
- 在CAN通信检查中替换save_angle调用为format操作
- 增加调试开关EEPDEBUG控制打印信息输出
- 更新健康管理和系统休眠时的EEPROM保存策略

Robot_V2/sys/flash.h

@@ -21,11 +21,15 @@ typedef enum {
 class FlashEEPROM {
   public:
 	// EEPROM emulation constants
-	static constexpr u32 EEPROM_START_ADDRESS =
-		0x0801F800;										   // Flash最后一页(2KB)
-	static constexpr u32 EEPROM_END_ADDRESS = 0x08020000;  // Flash结束地址
-	static constexpr u32 EEPROM_MAX_SIZE = 0x800;		   // EEPROM最大容量
-	static constexpr u32 FLASH_START_ADDRESS = 0x08010000; // Flash起始地址
+	static constexpr u32 EEPROM_START_ADDRESS = 0x0801F800;		// 第一页(1KB)
+	static constexpr u32 EEPROM_DATA_PAGE2_ADDRESS = 0x801FC00; // 第二页(1KB)
+	static constexpr u32 EEPROM_END_ADDRESS = 0x08020000;		// Flash结束地址
+	static constexpr u32 EEPROM_MAX_SIZE = 0x800; // EEPROM最大容量
+	static constexpr u32 EEPROM_DATA_START_ADDRESS =
+		0x0801F900;									   // DATA段开始地址
+	static constexpr u32 DATA_FLOAT_MASK = 0xFFFFFF00; // float存储地址掩码
+	static constexpr u32 DATA_U16_MASK = 0xFFFF0000;   // u16存储地址掩码
+	static constexpr u32 DATA_ADDR_MASK = 0x000000FF;  // 虚拟地址掩码
 
 	// 定义用户自定义的虚拟地址
 	static constexpr u8 ADDR_CONTROL_MODE = 0x0;  // 控制模式
@@ -33,6 +37,7 @@ class FlashEEPROM {
 	static constexpr u8 ADDR_TARGET_ANGLE = 0x02; // 角度命令数据存储地址
 	static constexpr u8 ADDR_TARGET_VEL = 0x03;	  // 速度命令数据存储地址
 	static constexpr u8 ADDR_VOLTAGE_LIMIT = 0x4; // 电压限制
+	static constexpr u8 ADDR_VEL_LIMIT = 0x05;	  // 角度数据存储地址
 
 	bool angle_saved = false;
 	bool system_config_saved = false;
@@ -55,11 +60,12 @@ class FlashEEPROM {
 	// 格式化Flash EEPROM页面
 	FlashEepromStatus format();
 
-	FlashEepromStatus save_angle(bool saved);
 	FlashEepromStatus save_system_config(bool saved);
+	u8 read_saved_system_config(void);
 	float read_angle();
 
   private:
+	FlashEepromStatus writeCRC(u32 CRC_NUM, bool saved);
 };
 
 void flash_eeprom_example_main(void);